天眼查显现，深圳根本半导体有限公司近来取得一项名为“一种沟槽型碳化硅MOSFET器材结构及其制备办法”的专利，授权公告号为CN117238972B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2023年11月16日。

  本发明触及半导体器材技能领域，公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器材结构及其制备办法。该结构包含：从下至上顺次设置的n+型碳化硅衬底、n‑型漂移层、n型电流传输层；在n型电流传输层的顶部两边别离从外至内顺次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，栅氧化层包裹有多晶硅栅；栅氧化层、p+型基区以及n+型源区的底部设有p+型维护区；n型电流传输层的上方设有阻隔介质层，阻隔介质层的两边别离设有触摸电极，阻隔介质层的上方设有源电极，n+型碳化硅衬底的反面设有漏电极。经过上述方法，本发明可以改动器材沟道电流的方向，使得沟道电流方向上没有设置沟槽维护结构，经过引进电流传输层削减沟槽维护结构对沟道电流的影响，取得更低的比导通电阻。

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