金融界 2024 年 9 月 4 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，扬州扬杰电子科技股份有限公司请求一项名为“一种改进双极退化的碳化硅 MOSFET 器材及制备办法“，公开号 CN2.6，请求日期为 2024 年 5 月。

  专利摘要显现，一种改进双极退化的碳化硅 MOSFET 器材及制备办法。触及半导体技术领域。包含如下过程：S100，在碳化硅衬底上外延成长构成碳化硅漂移层；S200，在碳化硅漂移层源区构成 N+区；S300，在碳化硅漂移层构成 PW 区；S400，在 PW 区构成 Spacer 层，经过离子注入构成 NP 区；S500，在 PW 区构成 PP 区；S600，在碳化硅漂移层构成 JFET 区；S700，在碳化硅漂移层顶面构成栅氧层；S800，在栅氧层上经过堆积多晶硅构成 Poly 层，作为栅电极引出；S900，在 Poly 层上经过堆积构成与 Poly 层和 NP 区相触摸的阻隔介质层，阻隔栅极和源级，防止两处短接；本发明下降器材电阻，进步器材通流才能，下降了器材产生双极退化的可能性。

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