- 东风首批自主SiC功率模块下线
项目于2021年进行前期先行开发,去年12月正式立项为量产项目。该项目以智新半导体封装技术为引领,实现了从模块设计、封装测试、电控应用到整车路试等环节关键核心技术的自主掌控。据智新半导体介绍,该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术,使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜衬底,热阻较传统工艺改善10%以上,工作时候的温度可达175℃,损耗相比IGBT模块大幅度降低40%以上,整车续航能力提升5%-8%。
资料显示,碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中着重关注的科技前沿领域攻关项目,同时具备高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特点,使得碳化硅模块具有高效率、高压、高工作时候的温度几大优势,在中高端新能源汽车中的应用越来越普及。
值得关注的是,近期碳化硅功率模块相关厂商动作频频。英飞凌、现代和起亚在10月18日发布声明称,三方已签署碳化硅和硅功率半导体供应协议。根据协议,英飞凌将在未来数年内向现代起亚供应有关产品,现代起亚则出资支持前者产能建设与储备。
随后在10月26日-27日,基本半导体正式对外发布第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品,基本半导体功率器件整体解决方案同期亮相。
据基本半导体介绍,此次发布的第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圆平台做开发,比上一代产品在品质系数因子、开关损耗以及可靠性等方面表现更出色,可大范围的应用于新能源汽车电机控制器、车载电源、充电桩等领域。
此外,中瑞宏芯半导体近日完成近亿元人民币产投融资,由禾迈股份和纳芯微联合投资。中瑞宏芯表示,本轮融资将继续用于碳化硅器件的研发技术创新、生产运行及市场拓展,全方面提升公司在SiC功率半导体行业核心竞争力。
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