- 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺渠道正式量产
近来,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)根据第三代工艺渠道开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测验认证;一起,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺渠道正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。
瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET,现有3款产品:IV3Q12013T4Z,IV3Q12013BA,IV3Q12013BD,大多数都用在车载电驱动体系,凭仗超卓的功能体现,已取得多家车载电驱动客户的项目定点。
一起在中心指标上,第三代产品在确保器材的耐压和短路才能的前提下,将比导通电阻Rsp下降至2.5mΩ*cm²,到达世界榜首队伍的水平。一起,第三代产品的开关损耗,比照第二代产品逐渐下降30%以上。
并且,第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数显着下降,在高温运作情况下,导通电阻添加较少。如下图所示,当Vgs=15V应用时,175°C时的Rds(on)比照25°C时的Rds(on)只要1.42倍;当Vgs=18V应用时,175°C时的Rds(on)比照25°C时的Rds(on)只要1.65倍。
在可靠性方面,首款产品IV3Q12013T4Z不只依照AEC-Q101规范完成了三批次可靠性认证,取得车规级可靠性认证证书,并且通过了更严厉的Beyond-AECQ可靠性查核,包含动态可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),栅极负偏压下的HTRB等。
由Fabless迈向IDM,瞻芯电子六英寸碳化硅(SiC)芯片车规级工厂投片
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