在高效能半导体范畴又迈出了重要一步。此次推出的第四代技能，在能效、功率密度和稳健性方面均树立了新的商场标杆，将为轿车和

  针对电动轿车电驱体系的核心部件——逆变器，意法半导体对第四代SiC MOSFET技能进行了特别优化。这一立异技能不只满意了电动轿车对高功能、高牢靠性和长寿命的苛刻要求，还逐渐推进了电动轿车的小型化和节能化进程。

  作为SiC功率MOSFET商场的领跑者，意法半导体一直致力于技能立异和打破。此次发布的最新一代SiC器材，充沛的利用了SiC资料相对于硅基器材在能效和功率密度上的明显优势，旨在为未来电动轿车电驱逆变器渠道供给更超卓的功能体现。

  展望未来，意法半导体计划在2027年前推出更多先进的SiC技能立异效果，以继续实行其在半导体技能范畴的立异许诺。公司深信，经过不断的技能立异和打破，将进一步开释SiC资料的潜力，为电动轿车和工业使用带来更高效、牢靠和环保的解决方案。

  此次发布的第四代SiC MOSFET技能，是意法半导体在推进半导体技能发展、助力全球节能减排工作方面迈出的又一坚实脚步。