碳化硅密封件
  • 华为哈勃出资天域半导体:发力第三代半导体资料碳化硅
来源:爱体育app    发布时间:2024-11-15 04:12:45
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  除了出资“芯片之母”EDA企业,企查查工商资料显现,华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司,后者注册资本也从9027万元增加到9770万元,增幅8%。

  据悉,东莞市天域半导体建立于2009年,坐落松山湖高新技能工业园区,是我国首家专门干第三代半导体碳化硅外延片研制、出产和出售的高新技能企业。

  2010年公司与中科院半导体所协作建立“碳化硅技能研究院”,现在已引入三台国际一流的SiC-CVD及配套检测设备,出产技能到达国际先进水平。

  至于深圳哈勃科技,华为技能有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%,本年4月刚刚建立。

  所谓第三代半导体,主要是二十一世纪以来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体资料,即高温半导体资料。第一代半导体资料主要是硅(Si)、锗元素(Ge),第二代主要是化合物半导体资料。

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