记者今日从中国科学院上海硅酸盐研究所得悉，该所科学技能人员安身自主研制，在把握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶成长技能之后，2月4日，成功成长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶成长技能达到了世界一流水平。

  据介绍，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体资料，具有禁带宽度大，饱满漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高级许多特色，大多数都用在制造高亮度LED、二极管、MOSFET等器材。在绿色照明范畴，用碳化硅衬作的LED功能远优于蓝宝石衬底。专家这样以为，碳化硅衬底需求将在短期内迎来一个迸发增长期。