安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管供给更高能效、更高功率密度和更低的体系本钱

  推进高能效立异的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的顶级碳化硅技能供给更高的开关功能、更低的功率损耗，并轻轻松松完成器材并联。

  安森美半导体最新发布的650VSiC二极管系列供给6安培(A)到50A的外表贴装和穿孔封装。一切二极管均供给零反向康复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数。

  工程师在规划用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV/HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类使用的PFC和升压转换器时，往往面临在更小尺度完成更高能效的应战。这些全新的二极管能为工程师处理这些应战。

  这些650V器材供给的体系优势包含更高能效、更高功率密度、更小尺度和更高的牢靠性。其固有的低正向电压(VF)及SiC二极管的无反向康复电荷能削减功率损耗，因此提高能效。SiC二极管更快的康复速度令开关速度更高，因此能减缩磁性元件和其他无源元件的尺度，完成更高的功率密度和更小的全体电路规划。此外，SiC二极管可接受更高的浪涌电流，并在-55至+175°C的作业时分的温度规模内供给稳定性。

  安森美半导体的SiC肖特基二极管具有共同的专利终端结构，加强牢靠性并提高稳定性和耐用性。此外，二极管供给更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关(UIS)才能和最低的电流走漏。

  安森美半导体MOSFET业务部高档副总裁兼总经理SimonKeeton表明：“安森美半导体新推出的650VSiC二极管系列与公司现在存在的1200VSiC器材相得益彰，为用户带来更广泛的产品规模。SiC技能使用宽带隙(WBG)资料的共同特性，比硅更实惠，其稳健的结构为苛刻环境中的使用供给较为牢靠的计划。咱们的客户将获益于这些简化的、功能更佳、尺度规划更小的新器材。”

  欲了解更多安森美半导体SiC产品组合怎样来完成更高的能效和牢靠性，请拜访碳化硅(SiC)产品网页，以及博客《碳化硅二极管的最低功率损耗可完成最高功率密度》。

  欢迎莅临安森美半导体在美国APEC#601号展台，观看SiCMOSFET和二极管的现场演示，展现安森美半导体最新的仿真建模技能怎么精确地匹配实在的器材作业。