所参研，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布的团体标准《碳化硅抛光片表面上的质量和微管的测试方法》起草工作启动会在中国电科

  《碳化硅抛光片表面上的质量和微管的测试方法》团体标准由中国电科46所牵头，邀请中国电科装备子集团2所、中国电科13所、中国电科55所相关专家共同参与标准评审。联盟标委会委员、中国电科首席专家林健研究员，中国电科首席专家李忠辉研究员，中国电科装备子集团2所王利忠高工、侯晓蕊高工，中国电科13所李佳高工，中国电科46所程红娟高工、李晖高工，中国电科46所品质衡量准则与安全处郑风振处长等10人参加了此次启动会，会议由郑风振处长主持。

  首先，林健研究员给参加会议的专家及成员介绍了团体标准的意义，本项标准的立项背景、意义以及目前该标准起草情况；李晖高工分别针对开题报告和标准草稿进行了详细汇报；参会专家及成员结合行业现状、产品等级对标准内容做了充分讨论，给出了客观的意见和修改意见。通过讨论，明确了标准的条款内容、表述方式、检测的新方法和实施细节等，最终确定形成7条修改意见，并讨论通过了标准的实施计划。

  碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注，面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出了更加高的要求。本标准的制定为快速检测碳化硅单晶抛光片的微管密度和表面的划痕、颗粒等缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，对碳化硅单晶抛光片的研发、生产和应用具备极其重大意义。