哈佛大学近来向美国得克萨斯州东区地办法院提交申述书，指控三星电子在微处理器和内存制作范畴侵略了两项专利。

  IT之家从申述书中了解到，哈佛大学化学系教授 Roy G. Gordon 等是这两项专利的创造人，哈佛大学校方是这些专利的受让人，具有对应专利的完好权力。

  这两项专利触及含钴、钨薄膜的堆积办法，别离名为“用于铜互连的氮化钴层及其构成办法”与“氮化钨的气相堆积”，哈佛大学称“这种薄膜关于计算机和手机等很多产品的核心部件至关重要”。

  哈佛大学以为三星电子在代工高通骁龙 8 Gen 1 处理器等的过程中，侵略哈佛大学同氮化钴薄膜制备有关的专利，触及三星 S22 智能手机等产品。

  而三星在出产 LPDDR5X 等内存时，在没有通过授权的情况下实践了哈佛大学钨层堆积专利中至少一项权力要求的每个要素，三星的 Galaxy Z Flip5 折叠屏手机即便用了相关 LPDDR5X 内存产品。

  (一)损害的对象是有用的专利。专利侵权有必要以存在有用的专利为条件，关于在创造专利申请发布后专利权颁发前运用创造而未付出恰当费用的胶葛，专利权人应当在专利权被颁发之后，恳求办理专利作业的部分调停，或直接向人民法院申述。

  (二)有必要有损害行为，即行为人在客观上施行了损害别人专利的行为。并以出产运营为意图。非出产运营意图的施行，不构成侵权。

  (三)违反了法令的规则，即行为人施行专利的行为未经专利权人的答应，又无法令依据。

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