氮化硅坩埚
  • 北京烁科中科信电子配备获得一种离子注入机用离子源坩埚结构及源专利进步样品惯例运用的寿数
来源:爱体育app    发布时间:2024-09-26 01:05:52
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  金融界 2024 年 9 月 18 日音讯,天眼查知识产权信息数据显现,北京烁科中科信电子配备有限公司获得一项名为“一种离子注入机用离子源坩埚结构及离子源“,授权公告号 CN2.9,请求日期为 2024 年 1 月。

  专利摘要显现,本实用新型公开了一种离子注入机用离子源坩埚结构,包含坩埚和用于加热坩埚的加热部件,所述坩埚衔接有进气管和出气管,所述出气管延伸至离子源的弧室。一种离子注入机用离子源,包含高温区和弧室,还包含上述的离子注入机用离子源坩埚结构。本实用新型可以终究靠进气管向坩埚内部运送特定载气或反响气体,将高温固态或液态物质经过气体反响变为气态物质,经过出气管运送到离子源的弧室;或许经过载气带着,将低饱满蒸汽压气态物质,经过出气管带入到离子源的弧室;然后进一步电离得到难熔难蒸腾固态元素的离子束流,能进步样品惯例运用的寿数,削减固态污染物堆积,下降坩埚蒸腾固态物质所需求的温度,进步离子源惯例运用的寿数和保护周期。

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