（SiC）功率半导体出产的根本工艺从6英寸晋级为8英寸。该计划旨在进步产值和出产率，以具有竞争力的价格向商场供应SiC功率半导体。

  意法半导体功率分立与模仿产品部副总裁Francesco Muggeri近来承受记者正常采访时表明：“现在，出产SiC功率半导体的干流尺度为6英寸，但咱们计划从下一年第三季度开端慢慢地转向8英寸。”

  跟着晶圆尺度的添加，每片能够出产更多的芯片，每颗芯片的出产所带来的本钱下降。SiC晶圆正在从6英寸逐渐转变到8英寸。

  意法半导体计划下一年第三季度在意大利卡塔尼亚的SiC晶圆厂过渡到8英寸，随后在新加坡的晶圆厂也将过渡到8英寸。与三安光电合资的我国工厂估计将于同年第四季度开端出产8英寸SiC晶圆。

  现在，SiC功率半导体求过于供，价格居高不下，但估计这样的一种状况将趋于稳定。

  Muzeri说：“现在出售的产品是来自两年多前的订单，价格很高，但2027年之后的报价比现在的低15~20%，SiC半导体已经在某些特定的程度上定价了。”

  至于对全球电动轿车商场添加阻滞的忧虑，他表明没大的影响。他说，欧洲、美国和韩国等一些添加最快的国家添加放缓，暂时下降了需求，但并未形成半导体需求的大幅下降。

  Muzeri表明：“轿车出产用半导体的数量有所添加，对SiC功率半导体的需求依然微弱。就电动轿车而言，运用SiC功率半导体时，行进路程能添加18~20%，估计未来轿车的采用率将从现在的15%进步到60%。”

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