无压烧结碳化硅陶瓷
  • 绍兴晶彩请求微波加热技能结合自悬浮碳热复原技能制备高纯纳米碳化硅粉体专利可用于半导体范畴
来源:爱体育app    发布时间:2024-12-31 15:01:49
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  金融界2024年12月11日音讯,国家知识产权局信息数据显现,绍兴晶彩科技有限公司请求一项名为“微波加热技能结合自悬浮碳热复原技能制备高纯纳米碳化硅粉体的办法”的专利,公开号CN 119100394 A,请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现,微波加热技能结合自悬浮碳热复原技能制备高纯纳米碳化硅粉体的办法,它触及高纯纳米碳化硅陶瓷粉的制备办法,它是要处理现有办法制备的纳米碳化硅粉体纯度低、颗粒尺度很难低于100nm 且不均一、本钱高的技能问题。本办法:一、单芳香环硅烷、多芳香环硅烷、直链硅烷、硅酸酯或许原硅酸为开始质料预水解后,参加氨气、碱基硅烷或许硅氮烷反响制备湿凝胶,再置换、老化、脱除溶剂,得到硅碳复合气凝胶;二、硅碳复合气凝胶外表排杂净化后输送到微波感应石墨列管流化床中化热解碳化,得到纳米硅碳氧陶瓷粉体;三、石墨列管流化床中碳热复原,得到高纯纳米碳化硅粉体。该粉体的粒径为10~800nm,纯度到达6N,可用于半导体范畴。

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