国际动力署（IEA）估量，电机功耗占国际总电力的45％以上。因而，找到最大化其运转能效的办法至关重要。能效更高的驱动设备能更小，而且更接近电机，由此削减长电缆带来的应战。从全体本钱和继续可靠性的视点来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）

  运用WBG资料如碳化硅（SiC）可制造出功用逾越硅（Si）的同种类型的产品。虽然有各种重要的时机运用这项技能，但工业电机驱动正取得最大的爱好和重视。

  SiC的高电子迁移率使其可以支撑更快的开关速度。这些更快的开关速度意味着相应的开关损耗也将削减。它的介电击穿场强简直比硅高一个数量级。这能完成更薄的漂移层，这将转化为更低的导通电阻值。此外，因为SiC的导热系数是Si的三倍，因而在散热方面要高效得多。因而，更简单减小热应力。

  传统的高压电机驱动器会选用三相逆变器，其间Si IGBT集成反并联二极管。三个半桥相位驱动逆变器的相应相线圈，以供给正弦电流波形，随后使电机运转。逆变器中糟蹋的能量将来自两个大多数来自－导通损耗和开关损耗。用根据SiC的开关替代Si基开关，可减小这两种损耗。

  SiC肖特基势垒二极管不运用反并联硅二极管，可集成到体系中。硅基二极管有反向恢复电流，会形成开关损耗（以及发生电磁搅扰，或EMI），而SiC二极管的反向恢复电流可忽略不计。这使得开关损耗可以大大削减达30％。因为这些二极管发生的EMI要低得多，所以对滤波的需求也不会那么大（导致物料清单更小）。还应留意，反向恢复电流会添加导通时的集电极电流。因为SiC二极管的反向恢复电流要低得多，在此期间经过IGBT的峰值电流将更小，来进步运转的可靠性水平并延伸体系的运用寿数。

  因而，假如要进步驱动功率及延伸体系的作业寿数时，迁移到SiC 肖特基显然是有利的。那么咱们何故采纳更进一步的计划呢？假如用SiC MOSFET替代担任实践开关功用的IGBT，那么能效的进步将更明显。在相同运转条件下，SiC MOSFET的开关损耗要比硅基IGBT低五倍之多，而导通损耗则可削减一半之多。

  WBG计划的其他相关的优点包含大幅节省空间。SiC供给的杰出导热性意味着所需的散热器尺度将大幅度削减。运用更小的电机驱动器，工程师可将其直接安装在电机外壳上。这将削减所需的电缆数量。

  安森美半导体现在为工程师供给与SiC二极管一起封装的IGBT。此外，咱们还有650 V、900 V和1200 V额定值的SiC MOSFET。选用这样的产品，将有或许革新电机驱动，进步能效参数，并使施行更精简。

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