第三代半导体资料又称宽禁带半导体资料，和传统硅资料首要的区别在禁带宽度上。（禁带宽度数值越大，则该种资料制造成器材的耐高压才能越强）

  同样是三代半导体资料，比较氮化镓，碳化硅更具有大规模量产条件的可用于制备功率器材。

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