在第三代半导体资料工业链制作以及使用环节上，SiC能够制作高耐压、大功率电力电子器材如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新动力轿车等职业。与硅元器材比较，GaN具有高临界磁场、高电子饱满速度与极高的电子迁移率的特色，是超高频器材的极佳挑选，适用于5G通讯、微波射频等范畴的使用。

  详细来看，氮化镓工业链与碳化硅工业链环节无较大不同，相同分为衬底、外延片和器材环节。虽然碳化硅被更多地作为衬底资料，但国内仍有从事氮化镓单晶成长的企业，首要有姑苏纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；从事氮化镓外延片的国内厂商首要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等；从事氮化镓器材的厂商首要有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

  氮化镓作为第三代半导体资料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转化功率最高的资料系统，下流使用包含微波射频器材(通讯基站等)，电力电子器材(电源等)，光电器材(LED照明等)。不过，第三代半导体资猜中，受技能与工艺水平约束，氮化镓资料作为衬底完成规划化使用仍面对应战，其使用首要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，经过外延成长氮化镓以制作氮化镓器材。

  依据该期刊论文征引Yole的猜测，2020年底，GaN射频器材商场规划将到达7.5亿美元，年均复合增长率20%。现在氮化镓器材已使用于5G通讯基站射频收发单元、消费类电子快速充电器、电动轿车充电机OBC等范畴。

  更多资料请参考中商工业研究院发布的《我国第三代半导体资料工业未来商场开展的潜力及出资时机研究陈述》，同时中商工业研究院还供给工业大数据、工业情报、工业研究陈述、工业规划、园区规划、十四五规划、工业招商引资等服务。

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