氮化硅陶瓷
  • 安徽蓝讯请求掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片制备办法专利得到的氮化硅陶瓷基片具有高热导率和高致密度
来源:爱体育app    发布时间:2024-10-29 14:34:20
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  金融界2024年10月19日音讯,国家知识产权局信息数据显现,安徽蓝讯通讯科技有限公司请求一项名为“一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备办法”的专利,公开号CN 118754679 A,请求日期为2024年5月。

  专利摘要显现,本发明公开了一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备办法,包含过程:制备混合浆料,将含有分散剂的溶剂参加在拌和磨中,再参加混合粉体进行球磨,再参加粘结剂和增塑剂进行球磨,得到混合浆料;成本,混合粉体包含硅粉;脱泡处理,在0.1MPa~1MPa真空度下,将混合浆料脱泡5min~60min,得到脱泡浆料;制备氮化硅基片坯体,将脱泡浆料导入流延机,调整流延速度为0.02m/min~1.0m/min,将加热温度在25℃~80℃之间设置多级梯度,流延成型得到厚度在0.2mm~0.3mm的氮化硅生坯带,将氮化硅生坯带切开、叠层,得到氮化硅基片坯体;氮化烧结处理,将氮化硅基片坯体顺次进行氮化处理和烧结处理,得到氮化硅陶瓷基片。本发明选用硅粉为质料,优化球磨时间和加料次序,得到的氮化硅陶瓷基片具有高热导率和高致密度。