氮化硅坩埚
  • 富特科技(301607SZ):积极开展SiC等第三代宽禁带半导体器材的使用研究
来源:爱体育app    发布时间:2024-12-08 13:55:31
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  格隆汇10月23日丨富特科技(301607.SZ)在投资者联系活动上表明,碳化硅资料作为第三代半导体资料,相较于传统硅资料具有更高的耐压、导电功能以及更低的开关损耗和温度特性,碳化硅功率器材在车载电源范畴的使用成为职业开展的重要趋势。公司适应职业技术开展的新趋势,分外的注重功率半导体器材的使用研究和电力电子拓扑结构设计的优化开发,积极开展SiC等第三代宽禁带半导体器材的使用研究,现已完成了SiC半导体器材在产品中的量产使用,且使用技术已相对老练。